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科赋 DDR5 海力士 M
内存简介 科赋 DDR5 系列介绍科赋原厂海力士 4800MT/s M-Die 系列工包 OEM 版KD5AGUA80-48G400016GB 单条零售版KD5AGUA80-48G400A16GB 单条 KD5AGUA80-48G400D32GB 套装（16GBx2） 我这边分别买的是 2 条 16G 组成 32G，并不是购买 32G 的套装，实际上 32G 套装并不一定是连号的，所以并不会更好超频，只是说大概率会好点。 我是为了省钱，因为当时分别买 2 条 16G 比直接买 32G 套条会便宜 100 左右。 测试平台介绍 处理器：i7-12700K 全默认，我劝你别超 散热器：利民 Frozen Magic EX360主板：微星 MEG Z690I Unify @ BIOS 1.91内存：科赋 DDR5 4800 裸条 16G x2 KLEVV KD5AGUA80-48G400A内存马甲：闲鱼买的。内存散热：内存顶部背着 3 只 4010 建准小风扇，主板 USB 2.0 取电，满速太吵，用电阻减速，效果很一般，满载只能降低 5-6 度左右吧。升级内存散热为 2 只千红 6020 4PIN PWM 风扇，具体看下面这篇文章： 记一次巨资定制的 ITX DDR5 内存散热支架超频成果AIDA64 内存测试结果：  Intel® Memory Latency Checker 英特尔内存延迟工具测试结果：  AIDA64 FPU 单烤过程中同时运行 TestMem5 1usmus_v3 内存稳定性测试通过：  y-cruncher 快速测试通过：  刚发布本文的时候，原以为以上测试通过了肯定啥测试都能过了，没想到尝试了一下通宵跑 MemTestPro，结果出现了零星的几个错误。于是经过不断的排查，最终定位到问题出在 CPU VDDQ TX 电压上了。将 VDDQ TX 电压从默认的1.45V 调整到 1.39V 即可通过 MemTestPro 通宵测试，同时也测试了大概 40+ 圈耗时几个小时的 YC 测试，这下敢说没啥压力了，在此期间，斥巨资设计了一块6cm ~ 14cm 全尺寸风扇兼容的内存散热风扇支架（这个后面单独发文介绍）。  MemTestPro 压力测试失败 MemTestPro 压力测试通过 y-cruncher_N64 彻夜 280 圈地狱测试通过作业参考基于微星 MEG Z690I UNIFY 这块主板，其他主板仅供参考。 内存电压 PMIC 解锁设置普条内存超频必须先解锁 PMIC 电压。  在 OC 菜单内，找到 Advanced DRAM Configuration \ DRAM PMIC Features 中 Special PMIC Unlock 设置为 Enabled 即可解锁内存 PMIC 电压。 PMIC 电压解锁后，要先重启电脑再次进入 BIOS 后才会生效，所以修改频率前，必须先重启一次，否则内存电压调整不会生效。 内存频率及电压设置 内存频率关键设置项： DRAM Reference Clock – 100MHzCPU IMC : DRAM Clock – Gear2DRAM Frequency – 6800 G2 (68x1000MHz)Memory Fast Boot – Slow TrainingMemory Fast Boot When OC Fail – Disabled内存电压关键设置项： CPU VDDQ Voltage – 1.395VDRAM Voltage – 1.500VDRAM VDDQ Voltage – 1.500VDRAM VPP Voltage – 1.800V关于Memory Fast Boot 的说明：有些教程建议这边选 Disabled，就是禁用内存快速检测，从字面意思我感觉选这个缓慢训练的意思，内存在超频后，BIOS 都会进行 Training 训练，其实就是检测，内存检测通过后才会开机，所以为了避免超频导致内存问题，我希望可以完全通过 BIOS 的内存检测，所以选择 Slow Training。 关于Memory Fast Boot When OC Fail 的说明：这个选项的意思是，当内存超频失败后，是否开启内存快速启动。因为很多是否内存即使不稳定，也可以正常进入系统，只不过会死机蓝屏而已，这边为了避免这种情况，我推荐 Disabled，也就是内存超频失败以后也不允许内存快速启动。 关于内存电压的说明：简而言之，目前我用的这个电压是可以通过各种压力测试了，内存散热器目前能稳压温度，所以不想去摸电压了，理论上可以慢慢调低看最终能稳定到多少，但是根据我几个月来的经验，完全没欲望再去调个 0.0 几 V 电压然后跑通宵的压力测试了，实在是太费劲了。按照现有的资料开看，科赋这对 DDR5 普条，CPU VDDQ Voltage 的电压在高频状态下，一定要低于 CPU VDD2 Voltage 才行。 内存时序相关设置 主时序设置 – Main Timing Configuration 优化前（BIOS 默认值） Command Rate – 2NtCL – 40tRCD – 40tRP – 40tRAS – 76tRFC2 – 543优化后 Command Rate – 2NtCL – 32tRCD – 39tRP – 39tRAS – 28tRFC2 – 383主时序对性能有着最大的影响，当然对稳定性影响也是巨大的。没有啥特别说明的，能降 1 个点也是好的。这套参数是我的极限了，一点都压不动了。 子时序/二级时序设置 – Sub Timing Configuration 优化前（BIOS 默认值） tRFCPB – 441tREFI – 4680tRRD – 20tRRD_L – 30tFAW – 32tCKE – 26优化后 tRFCPB – 311tREFI – 262143tRRD – 4tRRD_L – 8tFAW – 16tCKE – 4tREFI 默认拉到最大，对压力测试速度和内存读写性能都有很大的帮助。其他参数对读写性能影响比较小，但对内存延迟有所帮助，而且 BIOS 默认给的参数太难看，所以最好压一下。 回转时序/三级时序设置 – Turn Around Timing Configuration 优化前（BIOS 默认值） tRDRDSG – 18tRDRDDG – 8tWRWRSG – 36tWRWRDG – 8tWRRDSG – 72优化后 tRDRDSG – 12tRDRDDG – 8tWRWRSG – 12tWRWRDG – 8tWRRDSG – 64tRDRDSG tRDRDDG tWRWRSG tWRWRDG 这 4 个时序对内存的读写复制性能有巨大影响，能低则低，tWRWRDG 其实还可以压到 7 ，tWRWRSG 其实还可以压到 11，但是稳定性会有所影响，带来的性能提升也微乎其微了，所以不建议压得太紧了。 高级时序设置 – Advanced Timing Configuration 优化前（BIOS 默认值） tWRPRE – 132tXP – 26tWRPDEN – 132tCPDEN – 17优化后 tWRPRE – 48tXP – 4tWRPDEN – 48tCPDEN – 8tWRPRE tWRPDEN 这两个时序，BIOS 默认给得太差了，所以压一下。这几个都会对内存延迟有点帮助。 内存降压设置 Power Down Mode – Disabled 应该和内存闲时降低电压以降低功耗达到节能目的，为了超频稳定性，咱就不吝啬这么点功耗了。 细节交流以下是我超频这对科赋 DDR5 内存半年后总结出来的几点心得。 DDR5 内存超频一定要考虑散热问题！在确保散热的范围内先通过调整内存电压摸能开机的最高频率。降低一档频率后，再根据 BIOS 默认给的时序进一步优化时序。 |
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